Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 1500V

1 Descrição

DH4N150, os VDMOSFETs aprimorados de canal N de silício, são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia de avalanche. O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. O formato da embalagem é TO-3PF, que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

 Troca rápida 

 Baixa resistência ON (Rdson≤6,5Ω) 

 Carga de porta baixa (dados típicos: 38nC)

 Baixas capacitâncias de transferência reversa (típica: 2,9pF) 

 Teste de energia de avalanche de pulso único 100% 

3 aplicações 

 Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
1500V	4,9Ω	4,0A