Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 4A 1500V

1 περιγραφή

Το DH4N150, το ενισχυμένο VDMOSFETS του πυριτίου Ν-καναλιού, λαμβάνεται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής ισχύος για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. Η φόρμα συσκευασίας είναι TO-3PF, η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

 Γρήγορη εναλλαγή 

 Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤6,5Ω) 

 Χαμηλή φόρτιση πύλης (τυπικά δεδομένα: 38NC)

 Χαμηλές χωρητικότητες αντίστροφης μεταφοράς (τυπικές: 2.9PF) 

 100% δοκιμή ενεργειακής Avalanche Single Pulse 

3 αιτήσεις 

 Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.