N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-kanal geliştirme modu güç mosfet 4A 1500V

1 Açıklama

Silikon N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler olan DH4N150, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. Transistör, sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılabilir. Paket formu, ROHS standardı ile uyumlu olan 3pf'dir. 

2 Özellik 

 Hızlı anahtarlama 

 Direnç düşük (rdson6.5Ω) 

 Düşük kapı şarjı (Tipik Veri: 38NC)

 Düşük ters transfer kapasitansları (tipik: 2.9pf) 

% 100 tek nabız çığ enerji testi 

3 Uygulama 

 Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.