Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 1500V

1 descripción

DH4N150, la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de cambio y mejora la energía de avalancha. El transistor se puede usar en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. El formulario del paquete es a 3pf, que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

 Cambio rápido 

 Bajo en resistencia (Rdson≤6.5Ω) 

 Baja carga de puerta (datos típicos: 38 nc)

 Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 2.9pf) 

 Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

3 aplicaciones 

 Circuito de interruptor de encendido del adaptador y el cargador.