MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 4A 1500V

1 Descripción

DH4N150, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. El transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. El formato del paquete es TO-3PF, que cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

 Cambio rápido 

 Baja resistencia de encendido (Rdson≤6.5Ω) 

 Carga de puerta baja (datos típicos: 38 nC)

 Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 2,9 pF) 

 Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

3 aplicaciones 

 Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1500V	4,9Ω	4.0A