N-csatornás javítási mód Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-csatornás javítási mód Power MOSFET 4A 1500V

1 Leírás

A DH4N150, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek az önállóan beállított sík technológiával nyerik, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a váltási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. A tranzisztor felhasználható a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra különféle teljesítménykapcsoló áramkörben. A csomaglap TO-3PF, amely megfelel a ROHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

 Gyors váltás 

 Alacsony az ellenállás (RDSON≤6,5Ω) 

 Alacsony kapu töltés (tipikus adatok: 38nc)

 Alacsony fordított transzfer kapacitások (tipikus: 2,9pf) 

 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt 

3 alkalmazás 

 Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.