N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET 4A 1500V

1 Leírás

A DH4N150, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. A tranzisztor különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használható a rendszer miniatürizálása és a nagyobb hatékonyság érdekében. A csomagolási forma TO-3PF, amely megfelel az RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

 Gyors váltás 

 Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤6,5Ω) 

 Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 38nC)

 Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 2,9 pF) 

 100% Egyimpulzusos lavinaenergia teszt 

3 Alkalmazások 

 Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.

VDSS	RDS (be) (TYP)	ID
1500V	4,9Ω	4.0A