Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 1500V

1 Descrizione

DH4N150, il Vdmosfets migliorato dal silicio N-Canale, è ottenuto dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia valanghe. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. Il modulo del pacchetto è TO-3PF, che è conforme allo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

 commutazione rapida 

 Resistenza bassa (RDSON≤6,5Ω) 

 Carica a basso gate (dati tipici: 38NC)

 Capacità di trasferimento inverse basse (tipiche: 2.9pf) 

 Test di energia a valanga a impulso singolo 100% 

3 applicazioni 

 Circuito dell'interruttore di alimentazione di adattatore e caricabatterie.