MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 4A 1500V

1 Descrizione

DH4N150, i VDMOSFET avanzati a canale N in silicio, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. Il formato del pacchetto è TO-3PF, conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

 Commutazione rapida 

 Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 6,5 Ω) 

 Carica gate bassa (dati tipici: 38nC)

 Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 2,9 pF) 

 Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

3 applicazioni 

 Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
1500 V	4,9Ω	4,0 A