8A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 8N50 TO-220C

8A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,9Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 24 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 7 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. ● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
500V	0,72 Ω	8A