8A 500V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET 8N50 ถึง 220C

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Mosfet

1 คำอธิบาย

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD

●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.9Ω) 

●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 24NC) 

●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 7pf) 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS

3 แอปพลิเคชัน

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น ●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์