8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N50 TO-220C

8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● ESD բարելավված կարողություն

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,9Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 24nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 7pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: ● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
500 Վ	0.72Ω	8 Ա