MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 8A y 500 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Capacidad mejorada de ESD

● Baja resistencia (Rdson≤0.9Ω) 

● Carga de puerta baja (tipo: 24 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 7pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. ● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
500V	0,72Ω	8A