8A 500 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET MOSFET 8N550 TO-220C

8A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 

2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD

● Niski rezystancji (RDSON ≤ 0,9Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 24nc) 

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 7pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS

3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. ● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.