8A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 8N50 TO-220C

8A 500 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit saadaan itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,9Ω) 

● Matala portin lataus (Tyyppi: 24nC) 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 7pF) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS -testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. ● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS (päällä) (TYP)	ID
500V	0,72Ω	8A