8A 500V N-kanalni način izboljšave MOSFET 8N50 TO-220C

8A 500V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis

Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša zmogljivost preklapljanja in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS. 

2 Lastnosti 

● Hitro preklapljanje 

● Izboljšana zmogljivost ESD

● Nizek upor (Rdson≤0,9Ω) 

● Nizek naboj vrat (tip: 24 nC) 

● Nizka kapacitivnost povratnega prenosa (tip: 7pF) 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim pulzom 

● 100% ΔVDS test

3 Aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost. ● Vezje električnega stikala elektronskega balasta in adapterja.

VDSS	RDS (vklopljeno)（TYP)	ID
500 V	0,72Ω	8A