4A 1500V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

DH4N150, das Silizium-N-Kanal-Verbesserte VDMOSFETs, wird von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Der Transistor kann in verschiedenen Stromschaltschaltkreis für die Systemminiaturisierung und eine höhere Effizienz verwendet werden. Das Paketformular ist bis-3PF, was dem ROHS-Standard entspricht. 

2 Merkmale 

• Schnelles Umschalten 

• Niedrig des Widerstands (rdson ≤ 6,5 Ω) 

• Ladung mit niedriger Gate (typische Daten: 38nc) 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 2.9PF) 

• 100% Single Impulse Avalanche Energy Test 

3 Anwendungen 

 Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät.