4A 1500V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET

1 Beskrywing

DH4N150, die silikon N-kanaal Verbeterde VDMOSFET's, word verkry deur die self-belynde planêre Tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed-energie verbeter. Die transistor kan in verskeie kragskakelkringe gebruik word vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid. Die pakketvorm is TO-3PF, wat ooreenstem met die RoHS-standaard. 

2 Kenmerke 

• Vinnige skakeling 

• Lae AAN-weerstand (Rdson≤6.5Ω) 

• Lae heklading (tipiese data: 38nC) 

• Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipies: 2.9pF) 

• 100% Enkelpuls stortvloed energie toets 

3 Toepassings 

 Kragskakelaarkring van adapter en laaier.

VDSS	RDS(aan)(TIP)	ID
1500V	4,9Ω	4A