Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
DH4N150F
WXDH
To-3pf
1500 В.
4а
4A 1500 В n-канальный режим режима мощности Power Mosfet
1 Описание
DH4N150, кремниевый n-канал, улучшенный VDMOSFETS, получается с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Транзистор может использоваться в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. Форма пакета-TO-3PF, которая согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
Быстрое переключение
Низкое сопротивление (rdson≤6,5 Ом)
Заряд с низким затвором (типичные данные: 38NC)
Низкие емкости обратного переноса (типичный: 2,9 пт)
100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
3 приложения
Схема питания переключателя адаптера и зарядного устройства.
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
1500 В. | 4,9 Ом | 4а |
4A 1500 В n-канальный режим режима мощности Power Mosfet
1 Описание
DH4N150, кремниевый n-канал, улучшенный VDMOSFETS, получается с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Транзистор может использоваться в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. Форма пакета-TO-3PF, которая согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
Быстрое переключение
Низкое сопротивление (rdson≤6,5 Ом)
Заряд с низким затвором (типичные данные: 38NC)
Низкие емкости обратного переноса (типичный: 2,9 пт)
100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
3 приложения
Схема питания переключателя адаптера и зарядного устройства.
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
1500 В. | 4,9 Ом | 4а |