4A 1500V N-canal Modo de aprimoramento Power MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET

1 Descrição

O DH4N150, o VDMOSFETs aprimorado do canal N silicone, é obtido pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aumenta a energia da avalanche. O transistor pode ser usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. O formulário do pacote é para 3pf, que está de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

• Comutação rápida 

• Baixa em resistência (rdson≤6,5Ω) 

• Baixa carga do portão (dados típicos: 38NC) 

• Capacitâncias de transferência reversa baixa (típica: 2,9pf) 

• Teste de Avalanche de Pulso 100% 

3 aplicações 

Circuit Circuito de comutação de energia do adaptador e carregador.