4A 1500V N-канальний режим посилення живлення MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-канальний режим Power Power Mosfet

1 опис

DH4N150, кремнієвий N-канал посилений VDMOSFETS, отримується за допомогою самовирівненої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність перемикання та покращує енергію лавини. Транзистор може бути використаний у різних схемах перемикання живлення для мініатюризації системи та більш високої ефективності. Форма пакету-до 3PF, що відповідає стандарту ROHS. 

2 особливості 

• Швидке перемикання 

• Низький опір (rdson≤6,5ω) 

• Низький заряд воріт (типові дані: 38nc) 

• Низькі ємність передачі (типова: 2,9pf) 

• 100% тест на енергетику з одноразовим лавином 

3 програми 

 Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.