未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 4A 1500V N-Kanal Način poboljšanja Power Mosfet DH4N150F TO-3PF

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

4A 1500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
Dostupnost:
Količina:
Raspitati se Dodaj u koš

4A 1500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis


DH4N150, silikonski n-kanalni poboljšani VDMOSFET, dobiva se samo-usklađenom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Tranzistor se može koristiti u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. Obrazac paketa je TO-3PF, koji se podudara sa ROHS standardom. 


2 značajke 


  • Brzo prebacivanje 

  • Nizak otpor (Rdson≤6.5Ω) 

  • Naboj s malim vratima (tipični podaci: 38NC) 

  • Nisko ograničenje obrnutog prijenosa (tipično: 2,9pf) 

  • 100% pojedinačni test energetike pulsa 


3 prijave 

 Krug prekidača napajanja adaptera i punjača.



VDSS RDS (ON) (TIP) Osobna iskaznica
1500V 4,9Ω 4a


Prethodno: 
Sljedeći: 
4A 1500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com