未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 400V-1500V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

400V-1500V N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
4A 1500V N-канальный режим режима мощности MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F To-3pf 1500 В. 4а 英文版 dh4n150f ​​技术规格书 .pdf
7A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 7N65 TO-220C 7n65 До-220c 650 В. 7A 英文版 7n65 技术规格书 .pdf
15A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET 15N65 до-220C 15n65 До-220c 650 В. 15A
4.5A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F5N65C TO-220F F5n65c До-220f 650 В. 4.5a 英文版 f5n65c 技术规格书 rev1.1.pdf
3A 900V N-канальный режим режима Power Mosfet DHB3N90 до 251 DHB3N90 До 251 900 В. 3A Устройство DH3N90 Specification.pdf
12A 700 В n-канальный супер-соединение мощности мощности DJF360N70
40A 100 В P-канала режим улучшения мощности MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 До-220c 100 В 40a Устройство DH100P40 Specification.pdf
10.6a 650V N-канальный супер-соединение мощности MOSFET DJD380N65T до 252B DJD380N65T До 252b 650 В. 10.6a DJD380N65T_DATESHEET_V1.0.PDF
-10a -40v P-канал режим улучшения мощности Mosfet DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10a Устройство+DH170P04V+Specification.pdf
11A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 До-220c 650 В. 11A Устройство DHSJ11N65Speciation (S) .pdf
50A 650 В траншея, биполярный транзистор G50T65D TO-3PN, G50T65D G50T65D До 3pn 650 В. 50а G50T65D 技术规格书 .pdf
13A 650V N-канальный супер-соединение мощности MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 До-220c 650 В. 13а Устройство DHSJ13N65 Specification.pdf
150A 150 В. DHS042N15E До 263 150 В. 150a DHS042N15 & DHS042N15E_DATASHEET_V2.0 (1) .pdf
25A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F До-220c 650 В. 25а Устройство DHSJ25N65F Specification.pdf
42A 600V N-канал Super Junction Power Mosfet DJC070N60F до 247 DJC070N60F До 247 600 В. 42а Устройство DJC070N60F Specification.pdf
85A 150V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS110N15D до 252B DHS110N15D До 252b 150 В. 85а Устройство DHS110N15D Specification.pdf
31a 600 В n-канальный супер-соединительный мощный мосфет DJC099N60F/DJF099N60F
4A 700V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 До-220f 700 В. 4а 英文版 f4n70 技术规格书 (1) .pdf
7A 600V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F7N60 F7N60 До-220f 600 В. 7A 英文版 f7n60 技术规格书 .pdf
7A 800V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 До-220f 800 В. 7A 英文版 f7n80 技术规格书 .pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com