12А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 12N65 TO-220C

12 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание

Эти N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию. Что соответствует стандарту RoHS. 

2 особенности 

● Быстрое переключение 

● Улучшенные возможности ESD. 

● Низкое сопротивление (Rdson≤0,8 Ом). 

● Низкий заряд затвора (тип: 32 нКл). 

● Низкая емкость обратного переноса (тип: 7,0 пФ). 

● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом 

● 100 % ΔVDS-тест. 

3 приложения 

● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности. 

● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.

ВДСС	RDS(включен)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
650В	0,66 Ом	12А