ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

12A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET 12N65 TO-220C

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает
производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet


1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (rdson≤0,8 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 32NC) 

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7,0PF) 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера

VDSS  Rds (on) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР 
650 В. 0,66 Ом 12A



Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик