Доступность: | |
---|---|
количество: | |
12n65
WXDH
До-220c
650 В.
12A
12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,8 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 32NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7,0PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
650 В. | 0,66 Ом | 12A |
12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,8 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 32NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7,0PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
650 В. | 0,66 Ом | 12A |