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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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12A 650V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 12N65 bis 220c

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert
und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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12A 650 V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● ESD verbesserte die Fähigkeit 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,8 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 32NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 7.0PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Elektronenballast und Adapter

VDSS  RDS (ON) （Typ) AUSWEIS 
650 V 0,66 Ω 12a



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