porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 400V-1500V N MOS » Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 12A 650V Fuqia MOSFET 12N65 TO-220C

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes në facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

MOSFET me fuqi 12A 650V me kanal N e përmirësimit MOSFET 12N65 TO-220C

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-drejtuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson
performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.
Disponueshmëria:
Sasia:

MOSFET i fuqisë 12A 650 V i modalitetit të përmirësimit të kanalit N


1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS. 


2 Karakteristikat 

● Ndërrimi i shpejtë 

● Aftësia e përmirësuar ESD 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤0,8Ω) 

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 32nC) 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 7,0 pF) 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë. 

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit

VDSS  RDS (aktiv) (TYP) ID 
650 V 0,66 Ω 12A



E mëparshme: 
Tjetër: 
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin