未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
175A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
205A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifikimi i pajisjes DHS025N88.pdf
5A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specifikimi i pajisjes D5N50&B5N50.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
18A 500V 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 85V MOSFET Fuqia DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180 A Pajisje+DSD040N08N3A+Specifikim+Rev.1.0.pdf
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Fletë e të dhënave+V2.0 .pdf
0,8A 600V 600V-N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0.8A
4A 650V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04D.pdf
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf
140A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140 A Specifikimi i pajisjes DHP035N04.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 40A me fuqi MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40 A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30 A
60A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Fletë e të dhënave_V1.0 (1).pdf
120A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifikimi i pajisjes DH025N03P(1)(1).pdf
14A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
155A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specifikimi i pajisjes DH035N04.pdf
18A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com