未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

-30V~-100V P MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 15A 40V MOSFET Fuqia AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30 A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH300P06.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30 A
-30A -100V modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30CB1Q.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Specifikimi i pajisjes DH500P06R Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 10A 30 V Fuqia MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Specifikimi i pajisjes DH160P03V Rev.1.0.pdf
75A 100V P-kanali i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH100P70 TO-220C 100 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH100P70.pdf
DH100P20D
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 13A 100 V Fuqia MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100 V -13A Specifikimi i pajisjes 18P10.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100 V -40 A Specifikimi i pajisjes DH100P40D.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 35A 100 V Fuqia MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Specifikimi i pajisjes DH100P35.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35A Donghai_DH100P30D_Fletë e të dhënave_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20 A Specifikimi i pajisjes DH100P20.pdf
-50A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50 A Device+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30AD.pdf
-140A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Device+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 100 V 18A me fuqi MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Specifikimi i pajisjes DH100P18 B79.pdf
-30A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30 A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 40A 60 V Fuqia MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40 A Specifikimi i pajisjes DH400P06.pdf
MOSFET me fuqi 140A 30V të modalitetit të përmirësimit të kanalit P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com