未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

-30V~-100V P MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
-30A -100V modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30CB1Q.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 18A 100V MOSFET me fuqi MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Specifikimi i pajisjes DH100P18 B79.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 25A 100 V Fuqia MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifikimi i pajisjes DH100P25.pdf
-30A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH300P06.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30 A
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Specifikimi i pajisjes DH500P06R Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 15A 40 V me fuqi MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30 A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 10A 30 V Fuqia MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Specifikimi i pajisjes DH160P03V Rev.1.0.pdf
75A 100V P-kanali i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH100P70 TO-220C 100 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH100P70.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com