未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

-30V~-100V P MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
-30A -100V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30A Zariadenie DH100P30CB1Q Špecifikácia.pdf
25A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Špecifikácia zariadenia DH100P25.pdf
18A 100V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30A Zariadenie DH300P06 Špecifikácia.pdf
Režim P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
Režim P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Špecifikácia zariadenia DH500P06R Rev.1.0.pdf
15A 40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
10A 30V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Špecifikácia zariadenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
75A 100V P-kanálový režim vylepšenia výkonového MOSFETu DH100P70 TO-220C 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DH100P70.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com