未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

-30V~-100V P MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
20A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60 V 20A Špecifikácia zariadenia DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
40A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Špecifikácia zariadenia DH400P06.pdf
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Zariadenie DH100P18 B79 Špecifikácia.pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Špecifikácia zariadenia DH100P30AD.pdf
-140A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Zariadenie+DTG050P06LA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
-50A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50A Zariadenie+DH300P06L+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com