brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » -30V ~ -100 V P MOS » 18A 100V P-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET DH100P18D TO-252B

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

18A 100V p-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH100P18D TO-252B

18A 100V P-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

18A 100V p-kanálového vylepšenia režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto p-kanálové vylepšené VDMOSFETS, používané pokročilé priekopové technológie a dizajn, poskytujú vynikajúcemu RDSON s nízkym poplatkom za bránu. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie

● Vhodné pre vodičov motora. 

● Prepínanie regulátorov 

● Prevodníky a relé ovládače

● Varovanie


VDSS RDS (on) (typ) Id 
-100V 170 mΩ -18a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty