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18 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P18D TO-252B

18 A 100 V P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus
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18 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Geeignet für Motorfahrer. 

● Schaltregler 

● Konverter und Relaistreiber

● Warner


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 170 mΩ -18A



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