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18A 100V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH100P18D bis 252B

18A 100V P-Kanalverbesserungsmodus LeistungsmOSFET-
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18A 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Geeignet für Motorfahrer. 

● Regulierungsbehörden wechseln 

● Konverter und Relaistreiber

● Alarm


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 170 mΩ -18a



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