18A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH100P18D TO-252B

18A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa P-kanal förbättrade VDMOSFET: er, använt avancerad dike-teknik och design, ger utmärkt RDSON med låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 

2 funktioner 

● Snabbbrytning 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer

● Lämplig för motorförare. 

● Att byta tillsynsmyndigheter 

● Omvandlare och reläförare

● Varning