未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

-30V~-100V P MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
20A 60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Specifikace zařízení DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
40A 60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Specifikace zařízení DH400P06.pdf
140A 30V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Specifikace zařízení DH100P30AD.pdf
-140A -60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
-50A -60V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Zařízení+DH300P06L+Specifikace+Rev.2.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com