18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18B TO-251B

Výkonový MOSFET 18A 100V P-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto vdmosfety s vylepšeným P-kanálem, které používají pokročilou technologii a design výkopu, poskytují vynikajícímu Rdsonu nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace

● Vhodné pro řidiče motorů. 

● Spínání regulátorů 

● Převodníky a reléové ovladače

● Výstražné zařízení

VDSS	RDS(zapnuto) (TYP)	ID
-100V	170 mΩ	-18A