18A 100V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH100P18B TO-251B

18A 100V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılan bu P-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama

● Motor sürücülerine uygundur. 

● Anahtarlama regülatörleri 

● Dönüştürücüler ve röle sürücüleri

● Uyarıcı

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
-100V	170mΩ	-18A