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-30V~-100V P MOS

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13A 100V Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13A Especificación del dispositivo 18P10.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Especificación del dispositivo DH100P40D.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 35A 100V DH100P35 To-220C DH100P35 A-220C 100V 35A Especificación del dispositivo DH100P35.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Especificación del dispositivo DH100P28.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Especificación del dispositivo DH100P20.pdf
-30A -100V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Especificación del dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
-6A -100V Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V POE-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificación del dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf

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