-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH300P06D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 30 A y 60 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, proporcionan un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de ener

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia. 

● Equipos portátiles y sistemas alimentados por baterías. 

● Aplicación de alerta

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-60V	28mΩ	-30A