未命名(1)(8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MOSFET » -30V~-100V P MOS » -30A -60V P-Kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH300P06D TO-252B

Laden

Teilen mit:
Facebook-Sharing-Button
Twitter-Sharing-Button
Schaltfläche „Leitungsfreigabe“.
Wechat-Sharing-Button
LinkedIn-Sharing-Button
Pinterest-Sharing-Button
WhatsApp-Sharing-Button
Teilen Sie diese Schaltfläche zum Teilen

-30A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH300P06D TO-252B

-30A -60V P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Warenkorb hinzufügen

30 A 60 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Tragbare Geräte und batteriebetriebene Systeme 

● Alertor-Anwendung


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-60V 28mΩ -30A



Vorherige: 
Nächste: 
-30A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Einreichen
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com