Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DH300P06D
WXDH
TO-252B
-60V
-30A
30A 60V P-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu P-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullandı, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson'a sağlıyor. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Taşınabilir ekipman ve pille çalışan sistemler
● Uyarıcı uygulaması
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
-60V | 28MΩ | -30A |
30A 60V P-Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu P-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullandı, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson'a sağlıyor. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Taşınabilir ekipman ve pille çalışan sistemler
● Uyarıcı uygulaması
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
-60V | 28MΩ | -30A |