MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 30 A 60 V
1 Descrizione
Questi vdmosfet potenziati a canale P, che utilizzano tecnologia e design avanzati di trincea, forniscono un Rdson eccellente con una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Bassa resistenza
● Carica di gate bassa
● Basse capacità di trasferimento inverso
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
● Apparecchiature portatili e sistemi alimentati a batteria
● Applicazione Alerter
| VDSS |
RDS(acceso) (TIPO) |
ID |
| -60V |
28 mΩ |
-30A |