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-30A -60V Mode d'amélioration du canal P Power MOSFET DH300P06D TO-252B

-30A -60V Mode d'amélioration du canal P ASPOCIATION MOSFET
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30a 60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET


1 Description

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible de résistance

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée. 

● Équipements portables et systèmes à batterie 

● Application alerte


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT 
-60v 28mΩ -30A



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