MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B

-25A -100V MOSFET de potencia en modo de mejora del canal P

1 Descripción

Estos VDMOSFET mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, proporcionan un RDSON excelente con baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia de encendido 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacidades de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Adecuado para conductores de motores. 

● Reguladores de conmutación

● Convertidores y controladores de relés 

● Alertador

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	72mΩ	-25A