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25 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P25D TO-252B

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten exzellenten RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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-25A -100V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten exzellenten RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger EIN-Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Geeignet für Motortreiber. 

● Schaltregler

● Konverter und Relaistreiber 

● Warner

VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 72mΩ -25A



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