MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P30AB TO-251B

Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 30A 100V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Sistema de gestión de inversores.

● herramientas eléctricas 

● Alertador 

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	47mΩ	-30A