P-арнаны жақсарту режимі Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

P-арнаны жақсарту режимі Power MOSFET 30A 100V

1 сипаттама

P-Channel Angistance Mode Power Moffets жетілдірілген траншея технологиясының дизайнын қолданды, керемет RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі. 

2 мүмкіндіктер 

● қарсылық аз 

● Төменгі қақпа заряды 

● Жылдам коммутатор 

● Кері аударымның төмен сыйымдылығы

● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы

● 100% δDS тест 

3 өтінім 

● Қуатты коммутациялық қосымшалар

● Инверторды басқару жүйесі

● Электр құралдары 

● ДАЙЫН