未命名 (1) (8) (1)
دروازه
شرکت نیمه هادی Jiangsu Donghai ، Ltd
شما اینجا هستید: خانه » محصولات » مسخره » -30V ~ -100V P MOS » حالت تقویت کانال P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

بار

به اشتراک گذاشتن به:
دکمه اشتراک گذاری فیس بوک
دکمه اشتراک گذاری توییتر
دکمه به اشتراک گذاری خط
دکمه اشتراک گذاری WeChat
دکمه اشتراک گذاری LinkedIn
دکمه اشتراک گذاری Pinterest
دکمه اشتراک گذاری WhatsApp
دکمه اشتراک گذاری Sharethis

حالت تقویت کانال P قدرت MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

این MOSFET های حالت تقویت کانال P از طراحی پیشرفته فناوری سنگر استفاده می کنند ، RDSON عالی و شارژ پایین دروازه را ارائه می دهند. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
در دسترس بودن:
مقدار:
پرسیدن به سبد اضافه کنید

  • dh100p30ab

  • WXDH

  • dh100p30ab

  • به 251b

  • 100 ولت

  • 30a

حالت تقویت کانال P قدرت MOSFET 30A 100V


1 توضیحات

این MOSFET های حالت تقویت کانال P از طراحی پیشرفته فناوری سنگر استفاده می کنند ، RDSON عالی و شارژ پایین دروازه را ارائه می دهند. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 


2 ویژگی 

● کم مقاومت 

legh شارژ پایین دروازه 

● سوئیچینگ سریع 

inplacitances Transferm

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک

● 100 ٪ تست ΔVDS 


3 برنامه 

برنامه های سوئیچینگ برق

system سیستم مدیریت اینورتر

● ابزارهای برق 

● هشدار 


vdss rds (روشن) (تایپ) شناسه 
-100 ولت 47mΩ -30a



بارگیری کردن مشخصات DH100P30AD دستگاه .pdf

قبلی: 
بعدی: 
مسخره
  • شرکت نیمه هادی Jiangsu Donghai ، Ltd
  • برای خبرنامه ما ثبت نام کنید
  • برای در آینده برای خبرنامه ما آماده شوید تا مستقیماً به صندوق ورودی خود بروزرسانی شود
    ثبت نام
    ارسال کردن
کپی رایت © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd Technology by Leadong.com