未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS » P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

P-kanalförbättringsläge Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

Dessa P-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

  • DH100P30AB

  • Wxdh

  • DH100P30AB

  • TO-251B

  • 100V

  • 30a

P-kanalförbättringsläge Power MOSFET 30A 100V


1 Beskrivning

Dessa P-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Power Switching -applikationer

● Inverterhanteringssystem

● Strömverktyg 

● Varning 


Vds Rds (on) (typ) Id 
-100V 47mΩ -30a



ladda ner Enhet Dh100p30Ad Specification.pdf

Tidigare: 
Nästa: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com