未命名 (1) (8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » -30V ~ -100V P MOS » Mod de îmbunătățire a canalului P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

Mod de îmbunătățire a canalului P MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor P MOSFET-uri au utilizat designul avansat al tehnologiei șanțului, au furnizat RDSON excelent și o încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
Disponibilitate:
cantitate:
Întreba Adăugați la coș

  • DH100P30AB

  • Wxdh

  • DH100P30AB

  • TO-251B

  • 100V

  • 30a

Mod de îmbunătățire a canalului P Power MOSFET 30A 100V


1 Descriere

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor P MOSFET-uri au utilizat designul avansat al tehnologiei șanțului, au furnizat RDSON excelent și o încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici 

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută a porții 

● comutare rapidă 

● Capacități de transfer invers scăzut

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS 


3 aplicații 

● Aplicații de comutare a puterii

● Sistem de gestionare a invertorului

● Instrumente electrice 

● Alertor 


VDSS RDS (ON) (TIP) Id 
-100V 47MΩ -30a



descărcare Dispozitiv DH100P30AD Specificații.pdf

Anterior: 
Următorul: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail
    Depune
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com