未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS 251B Tryb ulepszenia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B

Te tryb wzmacniający kanał P wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

  • DH100P30AB

  • Wxdh

  • DH100P30AB

  • TO-251B

  • 100 V.

  • 30a

Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V


1 Opis

Te tryb wzmacniający kanał P wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Aplikacje przełączające zasilanie

● System zarządzania falownikiem

● Elektrownie 

● Alert 


VDSS RDS (ON) (Typ) ID 
-100V 47mΩ -30a



pobierać Urządzenie DH100P30AD Specyfikacja PDF

Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com