-30A -100V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH100P30C TO-220C

-30A -100V MOSFET de potencia en modo de mejora del canal P

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores.

● herramientas eléctricas 

● Alertador

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	47mΩ	-30A