未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

-30V~-100V P MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
20A 60V P-kanavan parannustila Virta MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 -220C 60V 20A Laite DH9Z24B1R Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
40A 60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 -220C 60V 40A Laite DH400P06 Specification.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Laitteen DH100P30AD Specification.pdf
-140A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA -220C -60V -140A Laite+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
-50A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com