未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » -30V ~ -100 V P MOS » -30a -60V p -kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH400P06LD TO -252B

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

-30a -60 V P-kanál vylepšenie režimu Power MOSFET DH400P06LD TO-252B

Tieto p-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

-30a -60 V p -kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto p-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie

● Aplikácie prepínania napájania 

● Prevodníci DC-DC 

● Elektrické náradie


VDSS RDS (on) (typ) Id 
-60V 22 mΩ -30a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com